瑞福德汽车金融全国各市客户服务热线人工号码
2025-2-24 01:14:14
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低点反弹30%+，拐(guai)点真的来了！,存储,芯片,DeepSeek
存储芯片在各(ge)类应用场景险些不可(ke)或(huo)缺，更是伴随(sui)AI应用爆发需要进级迭代的硬件底(di)子，“内存墙”的桎梏，让三星电(dian)子、美光、SK 海力士等吃到第一波丰盛的果实。
但今年以(yi)来，随(sui)着国产大模型(xing)DeepSeek在应用端的高歌猛进，A股算力、机器人、半导体(ti)等科技主题概念集体(ti)爆发，存储芯片这一细分领域(yu)也(ye)不破例。
以(yi)存储概念为(wei)例，板块自1月7日开始企稳反弹，目前(qian)累计涨(zhang)幅已超30%。
然而，供不该求的只有企业级存储市场，消耗级市场芯片价(jia)格处于跌势傍边，整体(ti)拖累了存储芯片市场的复苏。
现如今，曙光终于迎来。
01算力需求转移：从训练到推理
前(qian)不久，阿里宣布未来三年云和AI基建投入预(yu)计超过去(qu)10年总和，到近(jin)期多(duo)家A股公司公布算力订单，考证AI基建需求大趋势。
在以(yi)阿里为(wei)首的海内云厂商资本开支增加的推进下，AI应用落地有望加速，AI商业模型(xing)有望闭环。
而存力作为(wei)贯(guan)通上游算力设施和下游终端设备的紧张部分，在AI基建海潮的下半场也(ye)异样(yang)应该获得重视。
当前(qian)，用于AI训练和推理的数据中心对HBM（高带宽内存）和SSD（固态硬盘）的需求兴旺。
HBM由多(duo)个DRAM颗粒堆叠而成，是高性(xing)能(neng)AI芯片的刚需，而SSD则由NAND Flash颗粒（一种非易失(shi)性(xing)存储介质，下称闪存）制成，用于存储大量数据，两种颗粒占据了高性(xing)能(neng)存储芯片市场。
这类高性(xing)能(neng)存储芯片在性(xing)能(neng)上满意了现代数据中心对高效能(neng)、低延(yan)迟的需求。一方(fang)面需要HBM（高带宽内存）将数据快速交给处置惩罚(fa)器运算，另(ling)一方(fang)面又需要大容量SSD（固态硬盘）存储大量数据。
并(bing)且，随(sui)着数据量和算力的提升，存储芯片的代价(jia)增量更大。
凭据行业测(ce)算，单台通用办(ban)事器用内存DRAM+硬盘NAND合计代价(jia)量在5000美元左右，AI办(ban)事器（不考虑HBM）代价(jia)量则预(yu)计超过10000美元。去(qu)年头部存储芯片企业便吃到了盈余。
受害于作为(wei)英伟达(da)的主要供应商，高带宽内存（HBM）销售强(qiang)劲，韩国SK海力士四序度收入和运营利润双双创汗青新高，当季利润首次超越“老大哥”三星。
公司全年实现“汗青最佳(jia)年度功绩”，总营收实现66.19万亿(yi)韩元，净利润率为(wei)30%。
在功绩指(zhi)引方(fang)面，公司还(hai)表示2025年HBM的销售额还(hai)会再翻一倍，计划扩展HBM3E供应，并(bing)适时开发HBM4以(yi)满意客户需求。
去(qu)年下半年以(yi)来，随(sui)着豆包、DeepSeek国产大模型(xing)应用的乐成出圈，国产AI产业链预(yu)期将引来需求推进的新一轮基建投入。
再深入细化，算力需求并(bing)不是主要依(yi)靠强(qiang)调(diao)先(xian)进算力的模型(xing)训练侧支持，也(ye)就是要用上最为(wei)先(xian)进的AI芯片，而是遵循“杰文斯悖论”的神奇规律，未来推理端需求的增长将大幅促进AI芯片的用量。
虽然，美国一系列制裁有意限(xian)制国产AI算力发展，比如只提供阉(yan)割版的英伟达(da)。这类情况下，国产AI芯片作为(wei)国产算力基建的底(di)座，积极去(qu)适配DeepSeek大模型(xing)应用，反而会增强(qiang)协同高低游互相支持，带动整个市场快速发展。
近(jin)几年，合肥长鑫、长江存储等企业抖擞直追，带领海内存储产业链重复中国电(dian)动汽车(che)的故事。
海内企业正加大对技术研发的投入，特别是在高密度存储技术、低功耗技术以(yi)及存算一体(ti)融合上，取得了紧张进展。
据Techpowerup报道，虽然在制程上与三星美光等厂商仍有差异，但长鑫存储在DDR5芯片生(sheng)产的良品率上取得重猛进展，已到达(da)约80%，与最初(chu)量产时的50%比拟有了大幅度的提升。
并(bing)且，据称，目前(qian)全球最先(xian)进的HBM开发到了HBM3e，长鑫存储已在HBM2上取得了进展，正在进行客户取样(yang)，预(yu)计2025年中期开始小(xiao)批量生(sheng)产。
而长江存储率先(xian)将名为(wei)“晶(jing)栈(zhan)（Xtacking）架构”的混合键合技术应用于3D NAND闪存其实不断迭代。目前(qian)已正式上市开售的新款致态TiPro9000 PCIe 5.0 SSD已确(que)认搭载该款新架构闪存。
据外媒消息表明，三星有望从其第10代NAND开始采用长江存储的专利混合键合技术，成为(wei)了国产存储的里程碑时候(hou)。
凭据IT之家报道，市场调(diao)研机构 TrendForce 集邦(bang)咨询表示，2024年四序度全球DRAM内存产业实现 280 亿(yi)美元营收，较一年前(qian)的行业低谷期则录(lu)得63.8%增长；全球NAND Flash市场范围达(da)174.1亿(yi)美元，同比增长 42.4%。
看似强(qiang)劲的反弹迹象下，分歧存储市场产物结构和库存水(shui)平依(yi)然存在不平衡的问题。
不过随(sui)着下游市场需求回暖，新的AI硬件放(fang)量，供给端芯片厂商主动减产，或(huo)计谋性(xing)调(diao)整产物结构，加入低附加值芯片并(bing)转向高附加值存储芯片，给予库存更快的调(diao)整动力。
02复苏已启动？
在去(qu)年这轮“泼天富(fu)贵”之前(qian)，存储芯片行业此前(qian)经过了很长时间的低谷期。
早在疫情刚开始的2020年，由于全球性(xing)的芯片短缺，让很多(duo)厂商对疫情和局势发生(sheng)了错判，囤积了大量的芯片。最终结果就是导致供大于求，存储芯片成为(wei)了厂商巨大的库存压力，是以(yi)在2022年到2023年上半年间，存储芯片价(jia)格一直处于低位。
于是头部存储芯片厂商带头通过削减资本开支、持续减产、提价(jia)清库存等一系列“自救”措施后，存储芯片的行情自2023年第三季度起(qi)开始回升。
但在去(qu)年三季度以(yi)后，存储芯片价(jia)格趋势在分歧应用领域(yu)呈(cheng)分化现象，企业级的强(qiang)劲需求推进平均售价(jia)上涨(zhang)近(jin)15%，而消耗级订单减少，价(jia)格出现下滑。
消耗级存储芯片的两大下游应用手机、笔(bi)记本电(dian)脑去(qu)年政策补贴，促销后时隔两年再次恢复增长，亦难以(yi)改变上游存储芯片供过于求的局面。
主流存储器（DRAM和 NAND）价(jia)格自24年下半年开始下跌，消耗类已据高点下调(diao)超20%，企业级存储器也(ye)下调(diao)约10-20%。
除了存储芯片需求不振之外，端侧移动设备正在经历着AI革命，如同企业级存储产物需要迭代，算力和数据的加持实现了各(ge)种智能(neng)功能(neng)，而数据寄存及高效读写需要更强(qiang)大的存储芯片为(wei)其提供助力。
去(qu)年手机、电(dian)脑厂商用AI硬件打(da)响了高端化设备的竞争，存储芯片的容量、速度和能(neng)效成为(wei)影响用户利用体(ti)验的一环，这类产物销量占比的提升，未来还(hai)将持续挤压低端存储芯片产物的需求，是以(yi)加快了库存聚集。
另(ling)一方(fang)面，企业级存储市场吃到饱的头部芯片厂商，都有意愿进行产物结构调(diao)整，部分DDR4与HBM产能(neng)转向办(ban)事器DDR5，越发重去(qu)库存压力。
存储原厂为(wei)应对部分应用市场供应过剩已积极实施转产和减产举(ju)措，但目前(qian)整体(ti)上存储
市场仍处于供需失(shi)衡状况，而存储价(jia)格也(ye)从2024年四序度起(qi)，除AI办(ban)事器外的应用市场外普遍走(zou)跌，行情的转变渐渐传导并(bing)反映海表里存储品牌厂商的功绩傍边。
比如三星电(dian)子表示，像DDR4和LPDDR4等传统产物，2024年销售额占比已30%以(yi)下，计划2025年将大幅缩(suo)减至个位数；SK海力士的销售比例里，去(qu)年四序度的HBM占DRAM 总营收比例已超过四成，预(yu)测(ce)今年HBM销售将增加一倍。
是以(yi)，由于PC、智能(neng)手机一季度淡季可(ke)能(neng)不会有太好的显示，凭据TrendForce，预(yu)测(ce)2025年第1季度NAND Flash平均合约价(jia)环比下落 10~15%；DRAM合约价(jia)环比下落 8~13%。
不过，持续低迷的价(jia)格到了二季度，应该会变得好一些。每(mei)当存储芯片价(jia)格跌到低谷，减产、清库存、提价(jia)就会慢慢提上日程。
凭据科创板日报援(yuan)引 TechPowerup 报道，三星、SK 海力士、铠侠、美光均已开始研究 NAND 闪存减产计划，从而缓解供需失(shi)衡并(bing)稳订价(jia)格，预(yu)计相干厂商计划会按照市场实际情况分阶段进行。
就在周五，存储产物供应商闪迪(di)（SanDisk）发予客户的涨(zhang)价(jia)函披露，将于今年4月1日开始实施涨(zhang)价(jia)，涨(zhang)幅将超10%，该举(ju)措适用于所(suo)有面向渠道和消耗类产物。不但如此，闪迪(di)还(hai)预(yu)报将继承进行频繁的订价(jia)审查，预(yu)计在接上去(qu)的季度还(hai)会有分外的涨(zhang)幅。
海内几家特地存储芯片模组(zu)的上市公司中，包含江波龙、德明利、佰维存储等出于消息面上涨(zhang)，其中德明利一度涨(zhang)停。对于对海内存储模组(zu)厂商而言，涨(zhang)价(jia)预(yu)计将会疾速跟进，由于市场非常通明，传导速度会很快。
此前(qian)机构预(yu)计，今年下半年消耗类存储价(jia)格年中或(huo)将迎来反弹，企业级存储价(jia)格将保持稳定。Trendforce集邦(bang)咨询预(yu)计2025年三季度、四序度 NAND整体(ti)价(jia)格将环比增长10%-15%、8%-13%。
03尾声
和算力需求转移一块，国产替代作为(wei)AI基建下半场的另(ling)一条主旋律，推进了今年半导体(ti)板块估值的继承提升，主要环节办(ban)事器CPU\GPU、算力PCB等疾速录(lu)得巨大涨(zhang)幅，股价(jia)乃至屡创新高。
而海内领先(xian)的存储芯片厂商，比如兆易创新、北京君正，在下半年存储芯片价(jia)格下跌的情况下，相较此前(qian)市值跌势，股价(jia)才方(fang)才走(zou)出低点。
随(sui)着厂商减产、去(qu)库存作用渐渐显现，低价(jia)资源供应紧俏将有助于减缓市场竞价(jia)出货，进而减少低价(jia)产物供应并(bing)抬低价(jia)格底(di)线，加速供需干系走(zou)向平衡。
